IGBT企业——IPO审核要点（3）

IGBT，又称绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOSFET(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合全控压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。由于这个原因，IGBT被广泛使用。主要用于实现电压、频率、直流交流转换等功能，俗称电力电子装置的“CPU”，广泛应用于光伏/风电设备、新能源汽车、家电、储能、轨道交通、电网、航空航天等领域。

成果归属：合作研发的管理机制，成果归属是否存在纠纷或潜在纠纷；

合作原因及权利义务：合作研发的背景及原因，合作协议的主要内容，合作双方权利义务划分，发行人采取的保密措施，合作研发的费用与支付情况；

是否涉及技术依赖：委托研发的分工及各自发挥的作用，授权发行人使用研发成果的期限、是否为独占许可，在发行人核心技术、产品中的运用情况，发行人是否存在技术依赖，相关技术的委托研发是否属于行业惯例；核心技术是否存在重大依赖；

是否涉及虚增研发费用情形：合作研发的合理性及必要性，合作方是否为关联方。

核心技术保护措施：发行人的核心技术是否取得专利或其他技术保护措施、核心技术的科研实力和成果情况；未取得新的发明专利的原因，是否存在相关技术水平处于瓶颈或重大技术难题无法突破的情况；

是否拥有健全的研发体系：主要核心技术的取得时间，报告期内研发投入占营业收入的比例变化情况，发行人是否拥有高效的研发体系，是否具备持续创新能力，保持技术不断创新的机制是否有效；

在研项目详细情况：在研项目的项目名称、项目介绍、研发目标及主要方向、所处阶段、开发周期、应用前景、技术储备及技术创新等，与行业发展趋势的对比。

1、是否存在纠纷及潜在纠纷：知识产权是否存在权属纠纷；知识产权是否存在权利限制；知识产权是否存在到期注销、终止、宣布无效等异常情况；

2、重点关注受让取得专利：知识产权是否存在受让取得的情况，受让取得的发明专利来源、原权利人基本情况、受让取得的原因、定价依据及公允性；知识产权是否存在侵权使用的情况；

3、海外专利情况：海外专利的取得是否存在障碍，境内取得的发明专利是否可以在海外进行相同发明专利的申请和注册，海外注册是否会侵犯国际竞争对手的相关知识产权等情况；

4、若存在异常需量化影响：知识产权异常状态对生产经营的影响。